4.3.4.2. 砍刀相和抑制

图4.36的传导电流，并在舞台上菜刀再循环的演变。

图4.36。显示了一个典型的驱动H桥配置，4种双极晶体管作为电源开关组成，控制信号，适应了晶体管的激励水平是象征与门。控制线表示用字母A，B和INI对应于每个分支线和四个晶体管的抑制作用分别控制励磁。

菜刀可以与任何操作相线（A，B）或抑制线INI1。根据这样的菜刀，结果是流通的强度不同。基于这些，我们会选择一个或另一个控制一个给定的发动机型号。

图4.37。波形，并在舞台上斩波电流控制。

在开始阶段菜刀放在该行与该绕组例如，A和B减刑前高后低（图4.36）中，电流流过晶体管Q1通过缠绕，晶体管Q4和传感器的电阻RS（线图4.36 X。）当传感器电阻Rs的压降达到参考电压Vref，坐落在高级别切换绕组线B的菜刀。在蜿蜒中存储的能量消退通过Q1和D3（在线和图4.36）。回收流。慢慢由于电压电流衰减低（VCE _sat.Q1 + V _D3）。另一种方法，使每相斩波器作用于A而不是B线，放线到较低水平，这将导致循环流量是通过晶体管和二极管D2第四季度成立，循环卢比（Z线图4.36）。在这个系统中的电流与电压衰减快一点整个绕组较高（VSAT _Q4 + V _D2 + V _RS）。但电阻Rs是一个影响力增加，因此在尺寸和价格。

图4.37。可以观察到在舞台上的菜刀涉及信号波形。 A线一直很高，而交换是通过B线，在循环导致在桥顶。对B线开关周期的不同，我们在传感器的电阻强度。通过线圈的电流是显示在最后位置。在此我们可以看到，收益慢的衰减比激活。

图4.38的传导电流和为抑制菜刀循环演化。

对这一类型的控制方法是激活菜刀就INI1抑制线行事。例如，如果该行是A和B级高一低，Q1和Q4导通。目前流经晶体管Q1，缠绕，T4的晶体管和传感器电阻Rs（虚线在图4.38线）。在这种情况下，当两端电压达到卢比的参考电压Vref，控制线的积极响应抑制INI1（放低点）。 INI1所有晶体管关闭，留下室外线圈。然后，电流流过二极管D2和D3，通过二极管对地转正。在线圈中储存的能量排出的食物。现在，张力应用于绕组的电压，通常具有较高的价值，因此目前迅速衰减。

图4.39。信号可以观察到这种类型的控制。这表明，信号线开关通过线圈INI1表演以及电流，发现到衰减比图4.37所示为多。为控制阶段。

图4.37。波形和控制为抑制斩波电流。

这座桥的控制权是不适合可变磁阻电机，因为他们并不需要对当前的逆转，而且是非常有效的混合式电机和永磁。

通过抑制斩波器可用于控制单极电机，由于高电感线圈有两次。对于这些有利于他的这种类型的控制电流迅速下降。虽然控制是比较合适的相双极电机在这些电感功率较低。但是，您可以选择两个系统来控制电机或者。